國產提速 華虹高功率車規級IGBT量產

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近日，華虹半導體與斯達半導體在“華虹半導體車規IGBT、12英寸IGBT量產儀式”上簽署戰略合作協議，宣布雙方制造的大功率車規IGBT芯片通過終端車企產品驗證，進入動力單元等汽車應用市場。

華虹半導體在12英寸生產線上成功建立了IGBT晶圓生產工藝，產品成功通過客戶認證，成為全球首家在8英寸和12英寸生產線上批量生產先進溝槽柵電場截止IGBT的純晶圓代工企業。目前，華虹半導體12英寸IGBT的產量已突破萬片。去年，斯達半導體生產的汽車級IGBT模塊總計生產了20多萬輛新能源汽車。

思道一直致力于IGBT芯片設計和IGBT模塊的設計、制造和測試。用于燃油車微混系統的斯達半導體48V BSG功率模塊去年實現了大批量裝車應用，累計節能燃油車超過10萬輛。去年，斯達半導體基于第六代Trench Field Stop技術的1200V IGBT芯片也在12英寸生產線上成功研發，并已開始量產。同年成功研發的SGT MOSFET有望在今年開始批量供貨。

未來，思道將繼續在新能源汽車和燃油車半導體器件市場發力，在新能源汽車驅動控制器領域為客戶提供全功率范圍的IGBT模塊，繼續加大SiC功率芯片的研發力度，盡快推出符合市場需求的車用規格的自主SiC芯片，完善輔助驅動和車用電源市場的產品布局。